美光宣布在美投资增至 2000 亿美元，加建晶圆厂
美光当地时间昨日宣布将在美国的投资从此前宣布的 1250 亿美元扩大至 2000 亿美元，包括额外 250 亿美元的内存制造投资和单独 500 亿美元的研发投资。
美光此前已启动位于其总部爱达荷州博伊西的 1 座 DRAM 内存晶圆厂建设，并计划在纽约州克莱再建设 4 座大型内存晶圆厂。
此次的新公告则计划马纳萨斯晶圆厂将制造已相对成熟的 1-alpha DRAM，保障美国多个关键领域的内存供应。美国商务部已敲定对该项目的 2.75 亿美元
美光当地时间昨日宣布将在美国的投资从此前宣布的 1250 亿美元扩大至 2000 亿美元，包括额外 250 亿美元的内存制造投资和单独 500 亿美元的研发投资。
美光此前已启动位于其总部爱达荷州博伊西的 1 座 DRAM 内存晶圆厂建设，并计划在纽约州克莱再建设 4 座大型内存晶圆厂。
此次的新公告则计划马纳萨斯晶圆厂将制造已相对成熟的 1-alpha DRAM，保障美国多个关键领域的内存供应。美国商务部已敲定对该项目的 2.75 亿美元
