韩媒 the bell 当地时间昨日报道称，由于 HBM4 内存的 I/O 数量较此前产品翻倍至 2048，在 HBM4 DRAM上沿用 1b 工艺的 SK 海力士和美光不得不扩大 DRAM Die 的面积，不过对于三星电子而言，由于其 HBM4 内存的 DRAM Die 工艺将从前代的 1a nm 升级两代到 1c nm，预计单晶圆 DRAM Die 产量仍将有所提升。但考虑到工艺复杂度的变化，三星的 HBM4 实际成本也将增加。

　　业界消息预计，