近日，中微半导体设备股份有限公司宣布通过不断提升反应台之间气体控制的精度，ICP 双反应台刻蚀机 Primo Twin-Star® 又取得新的突破，反应台之间的刻蚀精度已达到 0.2A。

　　据介绍，这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上，均得到了验证。该精度约等于硅原子直径 2.5 埃的十分之一，在 200 片硅片的重复性测试中，氧化硅、氮化硅和多晶硅的测试晶圆，在左右两个反应台上各 100 片的平均刻蚀速度相差，各为每分钟 0.9 埃，1.5 埃和 1.0 埃。两个反应台之间平均刻蚀速度的差别，远小于一个反应台加工多片晶圆刻蚀速度的差别。

　　▲中微公司 ICP 双反应台刻蚀机 Primo Twin-Star®

　　中微公司透露，CCP 的双台机 Primo D-RIE® 和 Primo AD-RIE® 的加工精度，两个反应台的刻蚀重复性和在生产线上的重复性也