欧洲先进 FD-SOI 中试线启动设计征集，目标 2027
欧洲先进 FD-SOI 中试线项目 FAMES 当地时间 18 日正式宣布对外公开征集计划采用 10nm、7nmFD-SOI全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。
FAMES 项目的协调员 Dominique Noguet 表示FAMES 中试线将提供用于先进 FD-SOI 节点的性能评估 PDK，以及用于测试设计的 MPW 多项目晶圆用 PDK。
除逻辑制程外，FAMES 中试线
欧洲先进 FD-SOI 中试线项目 FAMES 当地时间 18 日正式宣布对外公开征集计划采用 10nm、7nmFD-SOI全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。
FAMES 项目的协调员 Dominique Noguet 表示FAMES 中试线将提供用于先进 FD-SOI 节点的性能评估 PDK，以及用于测试设计的 MPW 多项目晶圆用 PDK。
除逻辑制程外，FAMES 中试线
