三星电子内部为应对其 12nm 级 DRAM 内存产品面临的良率和性能双重困局，已在 2024 年底决定在改进现有 1b nm 工艺的同时从头设计新版 1b nm DRAM。

　　三星启动了名为“D1b-p”的开发项目，旨在提高其 DRAM 业务的竞争力，“p”代表“prime”，象征着卓越的品质，该项目重点关注提高电源效率和散热性能。

　　但业内人士透露，三星的目标是提升 1b DRAM 的性能和良率。据称，重新设计涉及工艺调整，成本高昂且复杂，三星已紧急订购设备，计划在 2024 年底前完成安装和测试，更新后的 1b DRAM 预计将于 2025 年第二或第三季度量产。