三星目前最先进的 NAND 和 DRAM 工艺分别为第 9 代 V-NAND 和 1b nmDRAM。

　　报道表示三星第 10 代 V-NAND 将被命名为 BV NAND，这是因为这代产品将调整 NAND 结构，从目前的 CoP 外围上单元韩媒表示，这一改动可防止 NAND 堆叠过程中对外围电路结构的破坏，还而在 DRAM 内存领域，韩媒表示三星电子将于 2025 年上半年推出 1c nm DRAM，2026 年推出 1d nm DRAM，而到 2027 年则将推出第一代 10nm 以下级 0a nm DRAM 内存，整体同三星存储器业务负责人李祯培此前展示的内容相近。

　　报道认为三星电子将在 0a nm 节点引入 VCT技术，构建三维结构的 DRAM 内存，进一步提升容量的同时减少临近单元干扰。此前消息指，三星将于明年完成 4F2 VCT DRAM 原型开发。