据中国科学院金属研究所官方今日消息，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与北京大学的科研团队合作，采用了一种创新思路，通过可控调制热载流子来提高电流密度，该研究成果于 8 月 15 日以题为“A hot-emitter transistor based on stimulated emission of heated carriers”的论文据介绍，这款新型晶体管由两个耦合的“石墨烯 / 锗”肖特基结组成。在器件工作时，载流子由石墨烯基极注入，随后扩散到发射极，并激发出受电场加热的载流子，从而导致电流急剧增加。这一设计实现了低于 1 mV / dec 的亚阈值摆幅，突破了传统晶体管的玻尔兹曼极限。此外，该晶体管在室温下还表现出峰谷电流比超过 100 的负微分电阻，该项研究工作得到了多方资助，包括国家自然科学基金、国家重点研发计划、中国科学院、辽宁省科技厅、金属研究所和沈阳材料科学国家研究中心的支持。

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