消息称美光 6 月遭遇 HBM3E 内存封装缺陷,影响向
韩媒 ZDNet Korea 报道指,美光的 HBM3E 内存在上 月遭遇封装缺陷,引起发热问题,影响了量产进程。
韩媒表示,由于问题出现在 2.5D 封装层面而非 HBM 产品本身,有分析认为,美光 HBM3E 内存出现问题是台积电在封装过程中使用了错误的材料所致。
美光在 2024 财年第三财季财报中表示,HBM3E 内存已在上一财季为美光创造了超 1 亿美元的收入,未来相关收入还会进一步增加。
韩媒 ZDNet Korea 报道指,美光的 HBM3E 内存在上 月遭遇封装缺陷,引起发热问题,影响了量产进程。
韩媒表示,由于问题出现在 2.5D 封装层面而非 HBM 产品本身,有分析认为,美光 HBM3E 内存出现问题是台积电在封装过程中使用了错误的材料所致。
美光在 2024 财年第三财季财报中表示,HBM3E 内存已在上一财季为美光创造了超 1 亿美元的收入,未来相关收入还会进一步增加。