西安电子科技大学广州研究院第三代半导体创新中心研究团队在蓝宝石基增强型 e-GaN 电力电子芯片量产技术研发方面取得突破性进展。

　　研究团队攻克了≥1200V 超薄 GaN缓冲层外延、p-GaN 栅 HEMTs 设计与制造、可靠性加固、高硬度材料封测等整套量产技术，成功开发出阈值电压超过 2V、耐压达 3000V 的

　　▲6 英寸蓝宝石基增强型 e-GaN HEMTs 晶圆

　　在该项目的研究中，研究团队还成功研发了 附相关论文与报道链接：