已经启动了首批第九代 V-NAND 闪存量产，位密度比第八代 V-NAND 提高了约 50%。

　　第九代 V-NAND 配备了下一代 NAND 闪存接口“Toggle 5.1”，可将数据输入 / 输出速度提高 33%，最高可达每秒 3.2 千兆位。除了这个新接口，三星还计划通过扩大对 PCIe 5.0 的支持来巩固其在高性能固态硬盘市场的地位。