提升 1b nm 产能以满足 HBM3E 需求,SK 海力士正升级
SK 海力士计划大幅增加 1b nm 制程 DRAM 内存产能,以满足 HBM3E 内存需求。
SK 海力士计划 2025 年 11 月完成 M15X DRAM 内存晶圆厂的建设。韩媒提到,相关设备订单预计于 2025 年初开始下单
SK 海力士计划大幅增加 1b nm 制程 DRAM 内存产能,以满足 HBM3E 内存需求。
SK 海力士计划 2025 年 11 月完成 M15X DRAM 内存晶圆厂的建设。韩媒提到,相关设备订单预计于 2025 年初开始下单