SK 海力士宣布和台积电签署谅解备忘录，

　　根据双方签署的谅解备忘录，两家公司初期目标是改善 HBM 封装内最底层基础裸片的性能。

　　注：HBM 是将多个 DRAM 裸片堆叠在基础裸片上，并通过 TSV 技术进行垂直连接而成，基础裸片也连接至 GPU，在 HBM 中扮演非常重要的角色。

　　包括 HBM3E在内，SK 海力士旗下 HBM 产品的基础裸片此前均采用自家工艺制造，而从 HMB4开始，该公司将采用台积电的先进逻辑工艺。

　　消息称双方将会展开紧密合作，尝试使用台积电的 CoWoS 技术封装 SK 海力士的 HBM 产品，从而在性能和功效等方面，进一步满足客户的定制化HBM 产品需求。

　　SK 海力士今年 2 月还制定了 One Team 战略，通过台积电建立 AI 半导体同盟，进一步巩固在 HBM 领域的优势。

　　▲HBM 内存结构示意图，此外，未来 AI 半导体将从 HBM 时代的 2.5D 封装走向 3D 堆叠逻辑芯片和存储芯片的新型高级封装。存储企业同芯片代工 + 高级封装企业的合作有利于相关研发推进。