华西证券发布研报称，11月13日，英伟达在S23大会上发布了下一代AI芯片NVIDIA HGXH200，其升级重点为搭载全新HBM3e内存。AI算力催化下HBM需求爆发式增长。据慧聪电子，2023年开年后三星、SK海力士两家存储大厂HBM订单就快速增加，价格也水涨船高，据悉近期HBM3规格DRAM价格上涨5倍。该行认为算力需求带动HBM爆发式增长。

　　高盛此前发表报告指，ASMPT在高频宽存储器上升周期中定位良好，热压焊接技术达到进阶HBM的封装要求，该行预期，在人工智能上升周期下，HBM市场在2023年至2025年复合年增长率64%，至2025年市场规模达到103亿美元，而每张HBM的处理器规模持续提升，亦需要更高阶的封装要求。