韩媒消息人士透露，三星电子预计最早将于明年的 HBM4 内存中采用混合键合，而 SK 海力士可能会在稍晚的 HBM4E 中导入；美光和其它企业则计划考虑导入有凸块键合的迭代版本：无助焊剂键合。

　　相较于现有 HBM 内存使用的有凸块键合，无凸块的半导体设备厂商 Besi 在其今年 4 月公布的年报文件中表示，采用混合键合技术的 HBM 内存虽然会较此前预期晚一年，但