韩媒 SE Daily 援引业界消息报道称，三星电子内部已制定了据悉三星电子在 1d nm 后的下代 DRAM 工艺上曾考虑过 1e nm 和 VCT DRAM 两种选择，报道指出，另一方面，报道还称三星电子在 DRAM 业务中的最大竞争对手 SK 海力士目前的大致规划是 1d nm -> 0a nm-> VG DRAM。