SK海力士决定将今年资本支出计划提高30%，以应对业界对 HBM3E产品需求的激增。此前SK海力士计划今年在扩展设施上的投资22 万亿韩元，但目前这一数字已经上调至29 万亿韩元。

　　据悉，这一决定已于近期敲定，SK海力士目前已向供应商发出通知，要求相应供应商在10月之前将设备交付至位于韩国忠州的M15X工厂，比最初计划提前了两个月。根据Counterpoint Research的数据，SK海力士在今年第一季度以36%的市场份额超越三星，首次成为 DRAM市场的头号供应商。

　　SK海力士上个月表示，今年该公司的HBM生产能力已被预定完毕，并且已向客户提供了HBM4 12H样品。

　　目前，存储巨头正在加速推进HBM4竞赛。三星计划2025年实现HBM4量产，但其10nm 1c DRAM工艺尚未成熟，目标充满挑战。