比利时微电子研究中心 imec 当地时间昨日宣布，在其与 ASML 合作的 High NA EUV 光刻实验室首次成功利用 High NA EUV 光刻机曝光了逻辑和 DRAM 的图案结构。

　　在逻辑图案方面，imec 成功图案化了单次曝光随机逻辑机构，实现了 9.5nm 密集金属线，将端到端间距尺寸降低至 20nm 以下：

　　▲密集金属线。不仅如此，imec 实现了

　　▲随机通孔

　　此外，imec 通过 High NA EUV 光刻机构建了

　　▲二维特征

　　而在 DRAM 领域，imec 成功利用单次曝光图案化了集成 SNLP和位线外围的

　　▲DRAM 设计

　　imec 总裁兼首席执行官 Luc Van den hove 表示：

　　这些结果证实了 High NA EUV 光刻技术长期以来所预测的分辨率能力，一次曝光即可实现 20nm 以下间距的金属层。 因此 High NA EUV 将对逻辑和存储器技术的尺寸扩展起到重要作用，而这正是将路线图推向 埃米时代 的关键支柱之一。 这些早期演示之所以能够实现，要归功于 ASML-imec 联合实验室的建立，它使我们的合作伙伴能够加快将 High NA 光刻技术引入制造领域。