韩媒报道指出，传统的 Low NA EUV 光刻机单台约为 2500 亿韩元，目前已开始交付的 High NA EUV 光刻机单价已升至 4000~5000 亿韩元。

　　而 HXE 系列

　　▲ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻机

　　考虑到光刻机越发昂贵，设备成本问题已成为各先进制程代工厂规划未来工艺时的重要考虑因素：

　　台积电在其首个 BSPDN 节点 A16 上不会采用 HighNA EUV；三星电子在 SF1.4 节点的宣传中未提到 HighNA；对 High NA 最积极的英特尔也将实际应用放到了 Intel 14A 上。

　　接近台积电的消息人士向韩媒表示，台积电考虑充分发挥其在多重图案化上的技术积累，而接近三星电子的消息人士则称，这位消息人士认为，考虑到最终将过渡到 Hyper NA，积极引入已很昂贵的 HighNA EUV 光刻机可能是一个糟糕选择。三星电子不排除跳过 HighNA 直接转向 Hyper NA 的可能。