作为 2024 IEEE VLSI 研讨会活动的一部分，英特尔近日在官网介绍了 Intel 3 工艺节点的技术细节。

　　Intel 3 是英特尔最后一代 FinFET 晶体管工艺，相较 Intel 4 增加了使用 EUV 的步骤，也将是一个长期提供代工服务的节点家族，包含基础 Intel 3 和三个变体节点。

　　其中 Intel 3-E 原生支持 1.2V 高电压，适合模拟模块的制造；而未来的 Intel 3-PT 进一步提升了整体性能，并支持更精细的 9μm 间距 TSV 和混合键合。

　　英特尔宣称，作为其“终极FinFET 工艺”，相较于仅包含 240nm 高性能库的 Intel 4 工艺，Intel 3 引入了 210nm 的高密度库，在晶体管性能取向上提供更多可能。

　　英特尔表示，其基础 Intel 3 工艺在采用高密度库的情况下，此外英特尔还宣称而在晶体管上的金属布线层部分，具体到每个金属层而言，英特尔在 Intel 3 的 M0 和 M1 等关键层上保持了与 Intel 4 相同的间距，主要是将 M2 和 M4 的间距从 45nm 降低至 42nm。