三星电子先进封装团队高管 Dae Woo Kim 在 2024 年度韩国微电子与封装学会年会上表示近日完成了采用 16 层混合键合 HBM 内存技术验证。

　　HBM4 的模块高度限制将放宽到 775 微米，有利于继续使用 TC-NCF。

　　三星正努力降低 TC-NCF 工艺的晶圆间隙，目标在 HBM4 中将这一高度缩减至 7.0 微米以内。

　　不过 TC-NCF 技术也面临着质疑。Dae Woo Kim 回击称三星电子的方案相较竞争对手 SK 海力士的 MR-RUF 更适合 12 层乃至 16 层的高堆叠模块。