联电与三星合作开发的 22nm 高压制程最快明年首季开始试产验证，届时将为三星代工新的 OLED 驱动 IC。

　　 指出，联电 22nm 制程与原来 28nm 制程相比，能够缩减 10%的晶粒面积，且拥有更佳功率效能比和更强的射频性能。22nm 高压制程则从原来可支持的 1。8V/3。3V/5V/8V 提高至最大支持 10V/18V。