在加州旧金山举办的 IEDM 2021 国际电子元件会议中，IBM 与三星共同公布了名为垂直传输场效应晶体管 的芯片设计技术，该技术将晶体管以垂直方式堆叠，并且让电流也改以垂直方式流通，借此让晶体管数量密度再次提高之外，更大幅提高电源使用效率，并且突破目前在 1nm 制程设计面临瓶颈。

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　　 不过，台积电已经在今年 5 月宣布与中国台湾大学、麻省理工学院共同研究，通过铋金属特性突破 1nm 制程生产极限，让制程技术下探至 1nm 以下。而英特尔日前也已经公布其未来制程技术发展布局，除了现有纳米 等级制程设计，接下来也会开始布局埃米 等级制程技术，预计最快会在 2024 年进入 20A 制程技术。