三星电子6月30日就已在官网宣布，他们采用全环绕栅极晶体管架构的3nm制程工艺，已在当日开始初步生产芯片，在业内率先开始采用3nm制程工艺代工晶圆。

　　三星电子方面尚未公布相关的消息。但若线日出货，就意味着三星这一制程工艺所代工的芯片，在业内也将率先出货，先于竞争对手台积电。

　　在6月30日在官网宣布开始采用3nm制程工艺为客户代工晶圆时，三星电子就已披露，同5nm制程工艺相比，采用全环绕栅极晶体管架构的第一代3nm制程工艺所代工的芯片，功耗降低45%，性能提升23%，芯片面积减少16%。

　　同台积电一样，外媒称三星电子的3nm制程工艺，也将会有第二代，他们计划在2023年量产。