据韩国媒体报道，三星已经准备在韩国平泽市的P3工厂开工建设3nm晶圆厂了，6、7月份动工，并及时导入设备。根据三星的说法，与7nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%，纸面参数上来说却是要优于3nm FinFET工艺。